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TK35S04K3L

更新时间: 2024-11-06 14:55:11
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 247K
描述
N-ch MOSFET, 40 V, 35 A, 0.0103 Ω@10V, DPAK+

TK35S04K3L 数据手册

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TK35S04K3L  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)  
TK35S04K3L  
1. Applications  
Automotive  
Motor Drivers  
DC-DC Converters  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified  
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m(typ.) (VGS = 10 V)  
(3) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)  
(4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain (heatsink)  
3: Source  
DPAK+  
Start of commercial production  
2011-04  
2014-08-04  
Rev.5.0  
1

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