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TK28N65W

更新时间: 2024-11-25 14:56:51
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 246K
描述
N-ch MOSFET, 650 V, 0.11 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ

TK28N65W 数据手册

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TK28N65W  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)  
TK28N65W  
1. Applications  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)  
by used to Super Junction Structure : DTMOS  
(2) Easy to control Gate switching  
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.6 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain (Heatsink)  
3: Source  
TO-247  
Start of commercial production  
2013-09  
2014-02-25  
Rev.2.0  
1

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