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TK2P60D

更新时间： 2024-01-12 00:29:09
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 209K
描述
Switching Regulator Applications

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TK2P60D 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：101 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：4.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK2P60D 数据手册

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TK2P60D  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK2P60D  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
6.5 ± 0. 2  
5.2 ± 0. 2  
0.6 MAX.  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 1.0 S (typ.)  
= 3.3 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 2.4 to 4.4 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
1.1 ± 0.2  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.8 MAX.  
0.6 MAX.  
1.05 MAX.  
0.6 ± 0. 15  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
3
V
V
600  
±30  
2
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
2.3 ± 0. 15 2.3 ± 0. 15  
1. GATE  
I
8
DP  
(Note 1)  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
60  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
101  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
⎯
⎯
Avalanche current  
I
2
6
A
JEITA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-7J1B  
T
ch  
150  
Weight : 0.36 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and  
Methods’’) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
2.08  
125  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 44.1 mH, R = 25Ω, I = 2 A  
1
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2010-02-25  
123456

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