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TK2Q60D

更新时间： 2024-11-21 14:57:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
N-ch MOSFET, 600 V, 4.3 Ω@10V, New PW-Mold2, π-MOSⅦ

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TK2Q60D  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK2Q60D  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
6.5 ± 0.2  
5.2 ± 0.2  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 1.0 S (typ.)  
= 3.2 Ω(typ.)  
DS (ON)  
0.6 MAX.  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.4 to 4.4 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th DS  
D
1.1 ± 0.2  
0.9  
0.6 MAX.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
2.3 2.3  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
3
V
V
600  
±30  
2
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
0.8 MAX.  
0.6 ± 0.15  
0.6 ± 0.15  
1.1 MAX.  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
8
DP  
1. GATE  
2. DRAIN（HEAT SINK）  
3. SOURCE  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
60  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
101  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
2
6.0  
A
JEDEC  
―
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
JEITA  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
2-7J2B  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating  
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
2.08  
125  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C(initial), L = 44.1 mH, R = 25 Ω, I = 2 A  
DD ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
Start of commercial production  
2009-03  
1
2015-11-28  
123456

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TK2Q60D 替代型号

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