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TK30A06J3

更新时间： 2024-11-20 19:59:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 246K
描述
TRANSISTOR 30 A, 60 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK30A06J3 技术参数

生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-67
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：58 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK30A06J3 数据手册

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TK30A06J3  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅢ)  
TK30A06J3  
Motor Drive Application  
Load Swithch Application  
Unit: mm  
Chopper Regulator and DC−DC Converter Application  
Low drain-source ON resistance: R  
= 19 mohm (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 34 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 uA (max) (V  
= 60 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
DS D  
th  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain−source voltage  
V
60  
60  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
30  
V
GSS  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
90  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
30  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy  
E
58  
mJ  
(Note 2)  
SC-67  
2-10U1B  
Avalanche current  
I
30  
3
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature (Note 4)  
Storage temperature range (Note 4)  
E
AR  
mJ  
°C  
°C  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
175  
ch  
T
−55~175  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
°C / W  
°C / W  
Thermal resistance, channel to case  
R
5
th (ch−c)  
th (ch−a)  
2
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
62.5  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 25 V, T = 25°C (initial), L = 87 mH, R = 25 W, I = 30A  
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
Note 4: The definition of maximum rating condition for both channel temperature  
and storage temperature range are refered form AEC-Q101.  
1
This transistor is an electrostatic sensitive device.  
Please handle with caution.  
3
1
2006-10-02  
123456

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