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TK30A06N1

更新时间: 2024-11-24 11:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 稳压器开关
页数 文件大小 规格书
9页 242K
描述
Switching Voltage Regulators

TK30A06N1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74雪崩能效等级(Eas):38 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):43 A
最大漏极电流 (ID):43 A最大漏源导通电阻:0.015 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):95 A子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

TK30A06N1 数据手册

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TK30A06N1  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
TK30A06N1  
1. Applications  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 m(typ.) (VGS = 10 V)  
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V)  
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
TO-220SIS  
2012-09-20  
Rev.4.0  
1

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N-ch MOSFET, 600 V, 0.088 Ω@10V, TO-220, DTMO