TK20D60U

更新时间： 2024-02-10 21:47:32

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	197K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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TK20D60U 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, 2-10V1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	144 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK20D60U 数据手册

TK20D60U

– V

I – V

D DS

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

Common source

Tc = 25°C

7.5

8,10

Pulse test

7.5

6.5

= 5.5 V

Drain−source voltage

(V)

Drain−source voltage

(V)

– V

DS GS

Common source

= 20 V

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

100

= 20A

Tc = −55°C

Gate−source voltage

(V)

Gate−source voltage

(V)

⎪Y ⎪ − I

− I

DS (ON) D

100

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

Common source

= 10 V

Pulse test

Tc = −55°C

= 10,15 V

100

0.1

0.01

0.1

100

Drain current

(A)

Drain current

(A)

2008-07-02

1 234 5 6

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