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TIP33A

更新时间： 2024-09-27 20:24:47
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CDIL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 332K
描述
Power Bipolar Transistor,

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TIP33A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP33A 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
HIGH POWER TRANSISTORS  
TIP33, A, B, C NPN  
TIP34, A, B, C PNP  
TO- 3PN Non Isolated  
Plastic Package  
For General Purpose Power Amplifier and Switching Applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TIP33  
TIP34  
TIP33A  
TIP34A  
TIP33B  
TIP34B  
TIP33C  
UNIT  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
TIP34C  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
*ICM  
IB  
100  
100  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
40  
40  
60  
60  
80  
80  
V
V
5.0  
Emitter Base Voltage  
V
10  
15  
3.0  
80  
Collector Current Continuous  
Collector Current Peak  
Base Current Continuous  
Total Power Dissipation at Tc=25ºC  
Derate Above 25ºC  
A
A
A
PD  
W
W/ºC  
0.64  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 65 to +150  
ºC  
*Pulse test: Pulse width = 10ms , Duty cycle <10%  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rth (j-c)  
1.56  
35.7  
Thermal Resistance, Junction to Case  
junction to Free Air Thermal Resistance  
ºC/W  
ºC/W  
Rth (j-a)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC unless specified otherwise)  
MIN  
TYP  
MAX  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
UNIT  
**VCEO (sus)  
IC=30mA, IB=0  
Collector Emitter Sustaining Voltage  
TIP33/TIP34  
TIP33A/TIP34A  
TIP33B/TIP34B  
TIP33C/TIP34C  
VCE=30V, IB=0  
40  
60  
80  
V
V
V
V
100  
ICEO  
Collector Emitter Cut Off Current  
TIP33/A, TIP34/A  
0.7  
mA  
VCE=60V, IB=0  
TIP33B/C, TIP34B/C  
VCE=Rated VCEO, VEB=0  
0.7  
0.4  
1.0  
mA  
mA  
mA  
ICES  
IEBO  
Collector Emitter Cut Off Current  
Emitter Base Cut Off Current  
DC Current Gain  
VEB=5V, IC=0  
IC=1A, VCE=4V  
IC=3A, VCE=4V  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=10A, IB=2.5A  
IC=3A, VCE=4V  
IC=10A, VCE=4V  
**hFE  
40  
20  
100  
1.0  
4.0  
1.6  
3.0  
**VCE (sat)  
**VBE (on)  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
V
V
V
V
**Pulse test: Pulse width 300ms, Duty cycle <2%  
TIP33_34Rev110706E  
Data Sheet  
Page 1 of 4  
Continental Device India Limited  
1234

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