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TIP33B

更新时间: 2024-09-26 21:58:43
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德州仪器 - TI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
16页 561K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

TIP33B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.66外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):80 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

TIP33B 数据手册

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