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TIP33B

更新时间： 2024-09-27 08:48:39
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 94K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP33B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP33B 数据手册

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TIP33, TIP33A, TIP33B, TIP33C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with the  
TIP34 Series  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
80 W at 25°C Case Temperature  
10 A Continuous Collector Current  
15 A Peak Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
TIP33  
80  
TIP33A  
TIP33B  
TIP33C  
TIP33  
100  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
120  
140  
40  
TIP33A  
TIP33B  
TIP33C  
60  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
10  
15  
A
3
80  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
3.5  
2
½LIC  
62.5  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp £ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.64 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 W,  
VBE(off) = 0, RS = 0.1 W, VCC = 20 V.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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