5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP33B
TIP33B PDF预览

TIP33B

更新时间： 2024-09-27 03:59:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

TIP33B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-218AC
包装说明：CASE 340D-02, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-218ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP33B 数据手册

 浏览型号TIP33B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP33B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIP33B的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by TIP33B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.  
•
•
•
•
10 A Collector Current  
Low Leakage Current — I  
Excellent dc Gain — h  
High Current Gain Bandwidth Product — h = 3.0 min @ I = 0.5 A, f = 1.0 MHz  
= 0.7 mA @ 60 V  
CEO  
= 40 Typ @ 3.0 A  
FE  
*Motorola Preferred Device  
fe  
C
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
100 VOLTS  
MAXIMUM RATINGS  
TIP33B  
TIP34B  
TIP33C  
TIP34C  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
80 V  
100 V  
100 V  
80 WATTS  
V
80 V  
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
10  
15  
Base Current — Continuous  
Total Power Dissipation  
I
3.0  
Adc  
B
P
D
@ T = 25 C  
80  
0.64  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
CASE 340D–02  
TO–218AC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.56  
35.7  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle  
R
R
θJC  
θJA  
10%.  
500  
V
T
= 4.0 V  
200  
100  
CE  
= 25°C  
J
50  
20  
10  
NPN  
PNP  
5.0  
0.1  
1.0  
10  
I
, COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 1. DC Current Gain  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

中文翻译

下载PDF

与TIP33B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP33BF TRSYS

获取价格

 		NPN POWER TRANSISTORS
TIP33BF CDIL

获取价格

 		TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TIP33BNPN CDIL

获取价格

 		HIGH POWER TRANSISTORS
TIP33C ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
TIP33C STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP33C KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)
TIP33C MOTOROLA

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP33C ONSEMI

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP33C TI

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP33C CDIL

获取价格

 		暂无描述

与TIP33B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证