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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP31BDW
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TIP31BDW

更新时间： 2024-02-11 20:52:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP31BDW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.06最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP31BDW 数据手册

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TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Symbol  
Max  
62.5  
Unit  
_C/W  
_C/W  
R
q
JA  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
3.125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
TIP31, TIP32  
V
40  
60  
80  
−
−
−
−
Vdc  
CEO(sus)  
TIP31A, TIP32A  
TIP31B, TIP32B  
TIP31C, TIP32C  
C
B
100  
Collector Cutoff Current (V = 30 Vdc, I = 0)  
TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A  
I
CEO  
−
−
0.3  
0.3  
mAdc  
CE  
B
Collector Cutoff Current (V = 60 Vdc, I = 0)  
TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, V = 0)  
I
mAdc  
CES  
TIP31, TIP32  
TIP31A, TIP32A  
TIP31B, TIP32B  
TIP31C, TIP32C  
CE  
EB  
−
−
−
−
200  
200  
200  
200  
(V = 60 Vdc, V = 0)  
CE  
EB  
(V = 80 Vdc, V = 0)  
CE  
EB  
(V = 100 Vdc, V = 0)  
CE  
EB  
Emitter Cutoff Current (V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
−
1.0  
mAdc  
−
BE  
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
DC Current Gain (I = 1.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
h
FE  
25  
10  
−
50  
C
CE  
DC Current Gain (I = 3.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage (I = 3.0 Adc, I = 375 mAdc)  
V
CE(sat)  
−
−
1.2  
1.8  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base−Emitter On Voltage (I = 3.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current−Gain − Bandwidth Product (I = 500 mAdc, V = 10 Vdc, f  
= 1.0 MHz)  
f
T
3.0  
20  
−
−
MHz  
−
C
CE  
test  
Small−Signal Current Gain (I = 0.5 Adc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
TIP31  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP31G  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP31A  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP31AG  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP31B  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP31BG  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP31C  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP31CG  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP32  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP32G  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP32A  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP32AG  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP32B  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP32BG  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP32C  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
TIP32CG  
TO−220  
(Pb−Free)  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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