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TIP31BAJ

更新时间： 2024-11-09 21:00:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
61页 394K
描述
3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP31BAJ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.07外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP31BAJ 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 1.2 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP31A, TIP32A  
= 80 Vdc (Min) — TIP31B, TIP32B  
= 100 Vdc (Min) — TIP31C, TIP32C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
•
High Current Gain — Bandwidth Product  
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
Compact TO–220 AB Package  
f
T
C
*Motorola Preferred Device  
3 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
*MAXIMUM RATINGS  
TIP31A TIP318 TIP31C  
TIP32A TIP32B TIP32C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
60–80–100 VOLTS  
40 WATTS  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
3.0  
5.0  
Base Current  
I
B
1.0  
Adc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
40  
0.32  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
A
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Unclamped Inductive  
Load Energy (1)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
62.5  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJA  
3.125  
θJC  
(1) I = 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 10 V, R  
= 100 Ω..  
BE  
C
CC  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
3–873  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...61

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