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TIP145 PDF预览

TIP145

更新时间： 2024-09-20 22:42:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 237K
描述
10 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP145 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：125 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

TIP145 数据手册

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by TIP140/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications.  
•
•
High DC Current Gain — Min h  
FE  
= 1000 @ I = 5 A, V = 4 V  
CE  
C
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mA  
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP140, TIP145  
= 80 Vdc (Min) — TIP141, TIP146  
= 100 Vdc (Min) — TIP142, TIP147  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor  
MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP140  
TIP145  
TIP141  
TIP146  
TIP142  
TIP147  
10 AMPERE  
DARLINGTON  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
125 WATTS  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
10  
15  
Base Current — Continuous  
Total Device Dissipation  
@ T = 25 C  
C
I
0.5  
Adc  
B
P
125  
Watts  
D
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Ambient  
R
R
1.0  
θJC  
35.7  
CASE 340D–01  
θJA  
(1) 5 ms,  
10% Duty Cycle.  
DARLINGTON SCHEMATICS  
NPN  
PNP  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
TIP140  
TIP141  
TIP142  
TIP145  
TIP146  
TIP147  
BASE  
BASE  
≈
8.0 k  
≈
40  
≈
8.0 k  
≈ 40  
EMITTER  
EMITTER  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP145F TRSYS

获取价格

 		SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS
TIP145F SAMSUNG

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 		PNP (HIGH DC CURRENT GAIN)
TIP145F FAIRCHILD

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 		Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
TIP145F CDIL

获取价格

 		TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TIP145FTU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
TIP145G ONSEMI

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TIP145LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic
TIP145PNP CDIL

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TIP145T CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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