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TIP146

更新时间： 2024-01-09 07:22:50

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP146 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP146 数据手册

TIP145 – TIP146 – TIP147

NPN SILICON DARLINGTONS,

SILICON POWER TRANSISTORS

They are silicon epitaxial-base PNP transistors in monolithic Darlington configuration and are

mounted in SOT93 plastic packtage.

They are intended for use in power linear and switching application.

The complementary are TIP140, TIP141, TIP142.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

TIP145

TIP146

TIP147

TIP145

TIP146

TIP147

-60

-80

-100

-60

-80

-100

-5.0

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

V_CBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

I_C

-10

-15

I_C

I_CM

Base Current

-0.5

I_B

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

@ T_mb= 25° C

P_T

T_J

T_S

125

150

-65 to +150

Watts

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_thJ-mb

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance Junction - Case

°C / W

30/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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