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TIP110TU

更新时间： 2024-11-05 11:01:35
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安森美 - ONSEMI 晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 272K
描述
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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by TIP110/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 1.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP110, TIP115  
= 80 Vdc (Min) — TIP111, TIP116  
= 100 Vdc (Min) — TIP112, TIP117  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 2.5 Vdc (Max) @ I = 2.0 Adc  
V
CE(sat)  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
*MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP110,  
TIP115  
TIP111,  
TIP116  
TIP112,  
TIP117  
Rating  
Symbol  
Unit  
DARLINGTON  
2 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100 VOLTS  
50 WATTS  
Collector–Emitter Voltage  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
Vdc  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
Adc  
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
2.0  
4.0  
Base Current  
I
B
50  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
50  
0.4  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy —  
Figure 13  
E
25  
mJ  
Operating and Storage Junction  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
C/W  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
62.5  
C/W  
T
T
C
A
3.0 60  
2.0 40  
T
C
1.0 20  
T
A
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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TIP110TU 替代型号

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