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TIP111

更新时间： 2025-07-31 05:55:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	162K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistors

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors

TIP110/111/112

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type TIP115/116/117

APPLICATIONS

·For industrial use

PINNING

PIN

1

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

2

3

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

TIP110

TIP111

TIP112

TIP110

TIP111

TIP112

60

80

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V

100

60

V_CEO

Collector-emitter voltage

V

80

100

5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

V

A

2

4

A

50

mA

T_C=25℃

T_a=25℃

50

P_C

Collector power dissipation

W

2

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

℃

T_stg

12 3 4

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