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THMR2N8Z-8

更新时间: 2024-11-11 19:59:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 846K
描述
IC 128M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM

THMR2N8Z-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM184,40针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):800 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184长度:133.35 mm
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:128MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:34.93 mm自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:DUAL宽度:4.8 mm
Base Number Matches:1

THMR2N8Z-8 数据手册

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