生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.6 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THMY1GE0SB70 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY1GE0SB75 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY1GE0SB80 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY1GE0SC70 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THMY1GE0SC75 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THMY1GE0SC80 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THMY1GE2SB70 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY1GE2SB80 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY25E01A70 | TOSHIBA |
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IC 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY25E01A70L | TOSHIBA |
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IC 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |