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THMY12N31C80

更新时间: 2024-11-11 21:20:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 637K
描述
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM

THMY12N31C80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.6 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

THMY12N31C80 数据手册

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