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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMY25N11B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY25N11C80 | TOSHIBA |
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IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01C70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01C75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E01C80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E0SA75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E0SA80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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