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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.82 |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-X168 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.008 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.44 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMY642051AEG-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
THMY642051AEG-12 |
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| THMY642051AEG12A | TOSHIBA |
获取价格 |
THMY642051AEG12A |
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| THMY644071AEG10 | TOSHIBA |
获取价格 |
THMY644071AEG10 |
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| THMY644071BEG | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304-WORD BY 64-BIT SNCHRONOUS DRAM MODULE |
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| THMY648071BEG | TOSHIBA |
获取价格 |
8,388,608-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
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| THMY648071BEG-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
8,388,608-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
|
| THMY648071BEG-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
8,388,608-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
|
| THMY6480D1EG-80H | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY6480H1EG-75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY64E11A80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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