生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
长度: | 133.35 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 43.18 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.049 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 3.429 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 4 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THMY51E10C80 | TOSHIBA |
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IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY51E2SA75 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY51E2SA80 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY51N01B70 | TOSHIBA |
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IC 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY51N01B80 | TOSHIBA |
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IC 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY641051AEG-10 | TOSHIBA |
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THMY641051AEG-10 | |
THMY641051AEG12A | TOSHIBA |
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THMY641051AEG12A | |
THMY641661BEG | TOSHIBA |
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16,777,216-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
THMY641661BEG-10 | TOSHIBA |
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16,777,216-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
THMY641661BEG-80 | TOSHIBA |
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16,777,216-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DRAM MODULE |