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THMY51E10C75

更新时间: 2024-11-11 20:01:31
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东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 706K
描述
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM

THMY51E10C75 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
长度:133.35 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:43.18 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.049 A子类别:DRAMs
最大压摆率:3.429 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:4 mmBase Number Matches:1

THMY51E10C75 数据手册

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