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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 长度： | 133.35 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 34.85 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMY51E0SA75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E0SA80 | TOSHIBA |
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IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E10B70 | TOSHIBA |
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IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E10B75 | TOSHIBA |
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IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E10B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E10C75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E10C80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E2SA75 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51E2SA80 | TOSHIBA |
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IC 128M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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| THMY51N01B70 | TOSHIBA |
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IC 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
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