5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 长度： | 133.35 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 25.53 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.8 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 2.8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMY12E11C80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A70L | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A80L | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11C70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
