5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | LOW POWER STANDBY MODE |
| JESD-30 代码： | X-XXMA-X40 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMY12E10A70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12E11B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12E11B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12E11C70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12E11C75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12E11C80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A70L | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
| THMY12N11A80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
