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THMY12E11B75

更新时间: 2024-11-25 20:02:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 634K
描述
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM

THMY12E11B75 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1207959552 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.8 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

THMY12E11B75 数据手册

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