生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184,40 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 711 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | 长度: | 133.35 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 128MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 34.93 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 4.8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THMR2N8Z-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMS121620Z-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16K X 12 CACHE SRAM MODULE, 25 ns, XMA40, Static RAM | |
THMS121620Z-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16K X 12 CACHE SRAM MODULE, 35 ns, XMA40, Static RAM | |
THMS161620Z-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16K X 16 CACHE SRAM MODULE, 25 ns, XMA40, Static RAM | |
THMS161620Z-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16K X 16 CACHE SRAM MODULE, 35 ns, XMA40, Static RAM | |
THMY12E10A70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY12E11B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY12E11B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY12E11C70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THMY12E11C75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |