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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.6 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.8 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V1001FI-10L | TOSHIBA |
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131,072-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FI-85 | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FI-85L | TOSHIBA |
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131,072-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FT-10 | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FT-10L | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FT-85 | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FT-85L | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FTI-10 | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FTI-10L | TOSHIBA |
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131,072-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55V1001FTI-85 | TOSHIBA |
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131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM |
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