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TC55V1001STI-10L

更新时间: 2024-09-17 22:53:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 555K
描述
131,072-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

TC55V1001STI-10L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.56,20针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:11.8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

TC55V1001STI-10L 数据手册

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