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TC55V1001FTI-85L

更新时间: 2024-11-06 22:53:11
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东芝 - TOSHIBA /
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13页 555K
描述
131,072-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

TC55V1001FTI-85L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

TC55V1001FTI-85L 数据手册

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