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TC55V1001ST-10L

更新时间: 2024-09-17 22:10:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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13页 546K
描述
131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM

TC55V1001ST-10L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.81
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:11.8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

TC55V1001ST-10L 数据手册

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