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TC55257AFL-85

更新时间: 2024-09-13 22:53:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 190K
描述
TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS

TC55257AFL-85 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.5针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.69
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATUREI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.5 mm
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TC55257AFL-85 数据手册

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