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TC55257BFL-85

更新时间: 2024-11-04 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA
页数 文件大小 规格书
9页 427K
描述
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

TC55257BFL-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP,
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.29最长访问时间:85 ns
其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.5 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.7 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.8 mm

TC55257BFL-85 数据手册

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