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TC55257BPL-70

更新时间： 2024-11-05 15:53:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	358K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

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TC55257BPL-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.69	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.3 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55257BPL-85	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BPL-85L	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BPL-85L(LT)	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257BPL-85L(LV)	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257BSPL	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BSPL-10	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BSPL-10(LT)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
TC55257BSPL-10L	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BSPL-10L(LT)	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257BSPL-10L(LV)	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM