是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1-R, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55257BTRL-10L | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257BTRL-10L(LT) | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC55257BTRL-10L(LV) | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC55257BTRL-85 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257BTRL-85(LT) | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP-28, Static RAM | |
TC55257BTRL-85L | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257BTRL-85L(LT) | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP-28, Static RAM | |
TC55257BTRL-85L(LV) | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC55257CFI | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CFI-10L | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |