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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP28,.5 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.5 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.000015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8.8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55257CFI-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257CFL | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257CFL-10 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
|
| TC55257CFL-10L | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Static RAM |
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| TC55257CFL-70 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257CFL-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257CFL-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TC55257CFTI | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
|
| TC55257CFTI-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28, Static RAM |
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| TC55257CFTI-10L | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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