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TC55257BSPL-85

更新时间: 2024-11-23 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
页数 文件大小 规格书
9页 427K
描述
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

TC55257BSPL-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP,
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.09Is Samacsys:N
最长访问时间:85 ns其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:34.9 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.45 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TC55257BSPL-85 数据手册

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