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TC55257APL-10L

更新时间： 2024-09-14 21:21:35

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	283K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

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TC55257APL-10L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.06
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.2 mm	最大待机电流：	0.00003 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55257APL-12	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257APL-12L	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257APL-85	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257APL-85L	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257BFI-10L	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Static RAM
TC55257BFL	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BFL-10	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM
TC55257BFL-10(LT)	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Static RAM
TC55257BFL-10EL	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Static RAM
TC55257BFL-10L	TOSHIBA	获取价格	SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM