5秒后页面跳转
TC55257AFL-10L PDF预览

TC55257AFL-10L

更新时间: 2024-09-14 21:01:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 283K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28, PLASTIC, MFP-28, Static RAM

TC55257AFL-10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP,
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.66最长访问时间:100 ns
其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATUREJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.5 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TC55257AFL-10L 数据手册

 浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC55257AFL-10L的Datasheet PDF文件第7页 

与TC55257AFL-10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55257AFL-12 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257AFL-12L TOSHIBA

获取价格

IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO28, PLASTIC, MFP-28, Static RAM
TC55257AFL-85 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257AFL-85L TOSHIBA

获取价格

IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO28, PLASTIC, MFP-28, Static RAM
TC55257APL TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257APL-10 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257APL-10L TOSHIBA

获取价格

IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257APL-12 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS
TC55257APL-12L TOSHIBA

获取价格

IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC55257APL-85 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS