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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 15 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.58 mm |
| 内存密度： | 1179648 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC551864AJ-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 18 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM |
|
| TC55187T-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8K X 18 CACHE SRAM, 25 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM |
|
| TC55187T-30 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8K X 18 CACHE SRAM, 30 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM |
|
| TC55188T-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8K X 18 CACHE SRAM, 20 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM |
|
| TC5518CFL-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC, Static RAM |
|
| TC5518CPL-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC |
|
| TC552501ECB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
| TC552501ECBTR | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
| TC552501EMB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
| TC552501EMBTR | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
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