是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 28.58 mm |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55187T-25 | TOSHIBA |
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IC 8K X 18 CACHE SRAM, 25 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM | |
TC55187T-30 | TOSHIBA |
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IC 8K X 18 CACHE SRAM, 30 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM | |
TC55188T-20 | TOSHIBA |
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IC 8K X 18 CACHE SRAM, 20 ns, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, QFJ-52, Static RAM | |
TC5518CFL-20 | TOSHIBA |
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IC IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC, Static RAM | |
TC5518CPL-20 | TOSHIBA |
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IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC | |
TC552501ECB713 | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator | |
TC552501ECBTR | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator | |
TC552501EMB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator | |
TC552501EMBTR | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator | |
TC552501EZB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |