5秒后页面跳转
TC551402J-25 PDF预览

TC551402J-25

更新时间: 2024-09-29 22:06:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 341K
描述
4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM

TC551402J-25 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.67
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
备用内存宽度:4JESD-30 代码:R-PDSO-J32
长度:20.96 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC551402J-25 数据手册

 浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC551402J-25的Datasheet PDF文件第7页 

TC551402J-25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UPD444001LE-10 RENESAS

功能相似

4MX1 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO32, 10.16 MM, PLASTIC, SOJ-32

与TC551402J-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC5514AD TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC
TC5514ADL-2 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC
TC5514ADL-3 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC
TC5514AP-2 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
TC5514AP-3 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
TC5514APL-3 TOSHIBA

获取价格

IC IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Static RAM
TC5514P TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
TC5514P-1 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
TC5514P-2 TOSHIBA

获取价格

IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
TC5516 TOSHIBA

获取价格

2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM