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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.6 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 250 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5 mm | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC5516AF-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5516AFL | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5516AFL-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5516AP | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5516AP-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5516APL | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC5516APL-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5517AD-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| TC5517AF | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC |
|
| TC5517AFL | TOSHIBA |
获取价格 |
TC5517AFL |
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