是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.85 | 最长访问时间: | 150 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC5517CP-20 | TOSHIBA |
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2.048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5517CPL-15 | TOSHIBA |
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2.048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5517CPL-20 | TOSHIBA |
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2.048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC551801ECB713 | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551801ECBTR | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551801EMB713 | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551801EMBTR | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551801EZB713 | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551801EZBTR | MICROCHIP |
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1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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TC551802ECB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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