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TC5516AF-2

更新时间: 2024-10-01 22:20:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 555K
描述
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM

TC5516AF-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP24,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:200 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP24,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00003 A
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TC5516AF-2 数据手册

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