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TC551632J-20

更新时间: 2024-02-21 07:53:16
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 203K
描述
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM

TC551632J-20 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ40,.44针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J40
JESD-609代码:e0长度:26.04 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:40字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC551632J-20 数据手册

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