是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ40,.44 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.78 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 26.04 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ40,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.22 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC551632J-25 | TOSHIBA |
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IC 32K X 16 CACHE SRAM, 25 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM | |
TC551632J-35 | TOSHIBA |
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IC 32K X 16 CACHE SRAM, 35 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM | |
TC551664AJ | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC551664AJ-12 | TOSHIBA |
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IC 128K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-44, Static | |
TC551664AJ-15 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC551664AJ-15EL | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM | |
TC551664AJ-20 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC551664AJ-20EL | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM | |
TC551664BFT-12 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC551664BFT-15 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |