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TC551664AJ-12

更新时间: 2024-02-11 05:25:58
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 178K
描述
IC 128K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM

TC551664AJ-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-PDSO-J44
长度:28.58 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC551664AJ-12 数据手册

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