是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ44,.44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.52 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 28.58 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ44,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.7 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC5516AF | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516AF-2 | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516AFL | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516AFL-2 | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516AP | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516AP-2 | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516APL | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5516APL-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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TC5517AD-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
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TC5517AF | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC |
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