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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 200 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 1KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC5514AP-3 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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| TC5514APL-3 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Static RAM |
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| TC5514P | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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| TC5514P-1 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5514P-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5516 | TOSHIBA |
获取价格 |
2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC551632J-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM |
|
| TC551632J-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 25 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM |
|
| TC551632J-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 35 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM |
|
| TC551664AJ | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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