是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 300 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 18 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -30 °C |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC5514AP-2 | TOSHIBA |
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IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
TC5514AP-3 | TOSHIBA |
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IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
TC5514APL-3 | TOSHIBA |
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IC IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Static RAM | |
TC5514P | TOSHIBA |
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IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
TC5514P-1 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
TC5514P-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
TC5516 | TOSHIBA |
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2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM | |
TC551632J-20 | TOSHIBA |
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IC 32K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM | |
TC551632J-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 25 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM | |
TC551632J-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 16 CACHE SRAM, 35 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Static RAM |